长鑫存储技术有限公司章慧获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310385935.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构是由章慧;吴双双;王春阳设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构，制作方法包括：提供金属层；形成钝化层，钝化层覆盖金属层的顶表面；形成至少一个沟槽，沟槽至少贯穿钝化层；形成介质材料层，介质材料层填充沟槽并覆盖钝化层的顶表面；以钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨介质材料层，研磨保留的介质材料层在沟槽中形成介质层。本公开通过调整工艺顺序，在对金属层进行刻蚀处理之前，在整层的金属层上形成钝化层，减小形成在金属层上的膜层的厚度，然后执行形成沟槽、形成介质材料层填充沟槽的步骤，以钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨介质材料层，优化了制程过程，提高了处理效率，提高形成的半导体结构的品质。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构、半导体接合结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供金属层； 形成钝化层，所述钝化层覆盖所述金属层的顶表面； 形成至少一个沟槽，所述沟槽至少贯穿所述钝化层； 形成介质材料层，所述介质材料层填充所述沟槽并覆盖所述钝化层的顶表面； 以所述钝化层的顶表面作为研磨停止终点研磨所述介质材料层，研磨保留的所述介质材料层在所述沟槽中形成介质层。
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