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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116641132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310431729.3，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法是由王学锋;陈业全;宋安柯;陈中强;张荣设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，属于电子材料技术领域，本发明方法首先准备好基片与铬碲元素化合物靶材，使用泵组将腔室内压抽至真空后，对基片进行加热至恒定温度，采用准分子激光器将激光聚焦到靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，观察到沉积薄膜RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，取出基片对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。测量结果表明，本方法为本技术领域内首次获得居里温度高于室温的碲化铬铁磁薄膜，其拓扑霍尔电阻率最大幅度值在现有观测到拓扑霍尔效应的所有碲化铬材料体系中最高，方法具有较高的制备效率，可拓展到制备其它高质量的碲化物薄膜。

本发明授权一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，将经预处理过的蓝宝石基片置于沉积装置样品架上，将Cr与Te元素比为1比3的铬碲元素化合物靶材放置在沉积装置靶材台上，关闭沉积装置腔室，使用泵组将腔室内压抽至7±1×10-6Pa后，对基片进行加热至恒定温度550±5℃，加热过程保持腔室内高真空度； 步骤S2，打开沉积装置RHEED高能电子衍射仪产生照射于基片的电子束，并在荧光屏及摄像头上形成衍射条纹； 步骤S3，保持腔室内环境不变，采用波长248nm的KrF准分子激光器由激光入射装置（5）将激光通过透镜聚焦到铬碲元素化合物靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，沉积全程靶材台保持匀速转动，使激光均匀地打在靶材上面； 步骤S4，通过沉积装置荧光屏及摄像头观察到沉积薄膜的RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，降温速度低于步骤S1中升温速度； 步骤S5，从腔室内取出基片，对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。

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