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龙图腾网获悉中航凯迈(上海)红外科技有限公司申请的专利一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116479389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310568091.8，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法是由司俊杰;贾卫民;王三煜;王巍;王理文;苏现军设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法在说明书摘要公布了：一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法，涉及红外光电探测器制造领域，具体包括以下操作步骤：对加工成型的探测器冷屏表面清洁，对冷屏表面不需黑化部分采用铝箔进行包覆覆盖；蒸镀InSb薄膜作为打底层覆盖至探测器冷屏内表面后，提高蒸镀时真空室内Ar气体的分压强，对探测器冷屏内表面再进行一次InSb薄膜覆盖，完成InSb薄膜制备，在InSb薄膜外部采用离子蒸镀法制备ZnS薄膜，离子蒸镀完毕后，对真空腔充Ar气体，并对冷屏进行高温烘烤后退火；本发明所制备的InSb多晶薄膜，膜基结合力即附着力强，膜层不易脱落，能实现较好的表面覆盖，在InSb多晶薄膜表面采用离子蒸镀方法覆盖了一层ZnS增透膜，保证了InSb薄膜对入射中波红外光具有高的吸收率。

本发明授权一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种中波红外焦平面探测器冷屏内表面的处理方法，其特征是：具体包括以下操作步骤： S1、对加工成型的探测器冷屏表面进行清洗，去除表面玷污，并对冷屏表面不需黑化部分采用铝箔进行包覆覆盖； S2、将冷屏放入离子镀膜系统的真空腔内并固定，高纯InSb和高纯Sb材料分别放于离子镀膜系统的蒸发舟中，InSb：Sb的用量比为（10-12）：1； S3、接上一步骤，离子镀膜系统中的背景压强抽至低于1×10-4Pa，用加热器加热冷屏，使其表面脱出吸附气体； S4、将高纯氩气通入真空腔，采用Ar离子轰击清洗； S5、调整真空度至3×10-2Pa，打开蒸发电源，对蒸发舟升温至将高纯InSb融化,再升温使高纯Sb材料融化至高纯InSb中，调整加热器将冷屏零件温度加温；调节离子镀脉冲离子源的直流脉冲偏压和脉冲占空比，并调节蒸发舟温度，蒸镀InSb薄膜作为打底层覆盖至探测器冷屏内表面； S6、提高蒸镀时真空室内Ar气体的分压强，对探测器冷屏内表面再进行一次InSb薄膜覆盖，作为InSb红外吸收层，完成InSb薄膜制备，停止InSb+Sb蒸发； S7、在InSb薄膜外部采用离子蒸镀法制备ZnS薄膜，保证所制备ZnS薄膜厚度满足中波红外单层增透膜厚度的要求； S8、离子蒸镀完毕后，对真空腔充Ar气体，并对冷屏进行高温烘烤后退火。

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