美光科技公司罗双强获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利三维存储器阵列的过渡结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117116307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310582433.1，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权三维存储器阵列的过渡结构是由罗双强;I·V·恰雷;徐丽芳设计研发完成，并于2023-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器阵列的过渡结构在说明书摘要公布了：本申请是针对三维存储器阵列的过渡结构。存储器装置可包含阶梯区，所述阶梯区包含通孔集合。所述通孔集合可包含将存储器区的相应字线板与相关联字线解码器耦合的第一通孔子集，及与所述字线板电隔离的第二通孔子集。所述第二通孔子集可布置于定位于所述第一通孔子集与所述存储器区之间的一或多个行中。在一些情况下，所述第二通孔子集可定位于相应导电触点上方。另外或替代地，所述第二通孔子集可定位于与所述存储器区的柱共享的公共导体上方。
本发明授权三维存储器阵列的过渡结构在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 多个存取线解码器，其至少部分地位于衬底中； 多个字线板，其竖直地布置在所述衬底上方且通过相应介电层彼此分离，每一字线板包括多个字线构件，所述多个字线构件各自在第一水平方向上延伸且延伸到存储器区中； 第一多个通孔，其竖直地延伸穿过所述多个字线板，所述第一多个通孔布置于在所述第一水平方向上延伸的行和在第二水平方向上延伸的列中，所述第一多个通孔中的每一通孔与所述多个存取线解码器中的相应存取线解码器耦合；及 第二多个通孔，其竖直地延伸穿过所述多个字线板，所述第二多个通孔中的每一通孔与所述多个存取线解码器电隔离，且所述第二多个通孔的子集布置于在所述第二水平方向上延伸的列中且在所述第一水平方向上位于所述第一多个通孔与所述存储器区之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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