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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310862156.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管及其制备方法是由池雅庆;张振东;郭阳;陈小文;袁珩洲设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管及其制备方法，该晶体管包括由下至上依次布置的衬底、第一二维半导体层及第二二维半导体层，所述第一二维半导体层与第二二维半导体层之间沿水平方向依次布置有源极、栅极组件及漏极，所述第一二维半导体层与第二二维半导体层之间的其他区域填充有第一钝化层；所述栅极组件包括由下至上依次布置的第一栅介质层、栅极及第二栅介质层；所述第二二维半导体层的上方填充有第二钝化层。该制备方法用来制备上述晶体管。本发明具有结构简单、制备方便、电学特性一致性更好等优点。

本发明授权一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管的制备方法，其特征在于，步骤包括： 步骤S1：在衬底（1）表面制备二维半导体层Ⅰ（201）； 步骤S2：在二维半导体层Ⅰ（201）上制备第一掩膜层（301），暴露无需二维半导体层的区域，并去除该区域的二维半导体层，形成第一二维半导体层（2）； 步骤S3：去除第一掩膜层（301），制备第二掩膜层（302），暴露第一栅介质层（3）、栅极（4）和第二栅介质层（8）所在区域； 步骤S4：制备第一介质层（401）； 步骤S5：制备第一金属层（501）； 步骤S6：制备第二介质层（402），厚度不小于第一介质层（401）的厚度； 步骤S7：去除第二掩膜层（302），形成第一栅介质层（3）和栅极（4）； 步骤S8：制备第三掩膜层（303），暴露源极（5）和漏极（6）所在区域； 步骤S9：制备第二金属层（502），高度应不低于第二介质层（402）； 步骤S10：去除第三掩膜层（303）； 步骤S11：制备钝化层（601）： 步骤S12：对钝化层（601）上表面抛光减薄，直至暴露第二金属层（502）和第二介质层（402），且继续抛光减薄，形成第一钝化层（7）、第二栅介质层（8）、源极（5）和漏极（6）； 步骤S13：制备二维半导体层Ⅱ（202）； 步骤S14：在二维半导体层Ⅱ（202）上制备第四掩膜层（304），暴露无需二维半导体层的区域，并去除该区域的二维半导体层，形成第二二维半导体层（9）； 步骤S15：去除第四掩膜层（304）； 步骤S16：制备第二钝化层（10），形成基于栅极夹层结构的二维半导体晶体管。

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