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龙图腾网获悉北京师范大学珠海校区申请的专利一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311141420.7，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用是由吴杰;陈琳;吴嘉锟;欧阳潇;廖斌;张旭;英敏菊设计研发完成，并于2023-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用，采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜，具体包括以下步骤：将基片放在乙醇溶液中清洗；然后放入真空室抽真空；利用氩气在‑300～‑600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗；采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜，在弧流为50～200A，正偏压为20～40V、负偏压为‑50～‑300V、氧气流量为5～10sccm条件下进行薄膜沉积，沉积时间为0.5～2h。本发明通过载能离子与金属靶材表面亚表面的相互作用在室温下一步实现多种金属氧化物的精细成膜，与基于化学合成的方法相比，离子术技术能实现氧化物种类、结构和性能的宽域调控，具有更好的产业化应用前景。

本发明授权一种高熵氧化物薄膜负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵氧化物薄膜负极材料的制备方法，其特征在于，采用磁过滤阴极真空弧方法在铜箔基片上一步沉积出高熵氧化物薄膜，具体包括以下步骤： 1将基片放在乙醇溶液中清洗； 2清洗完成后，将基片放入真空室抽真空；抽真空后控制工作气压小于等于1×10- 2Pa； 3利用氩气在-300～-600V的负偏压条件下对基片进行溅射清洗； 4采用磁过滤阴极真空弧沉积高熵氧化物薄膜，将Ni和Cr原子分数均为50％的NiCr靶、Fe靶、Co靶、Mn靶4种金属靶材作为阴极弧源，沉积尖晶石结构的Fe0.2Co0.2Ni0.2Cr0.2Mn0.23O4薄膜，所述NiCr、Fe、Co、Mn的纯度均为99.99％；在弧流为50～200A，正偏压为20～40V、负偏压为-50～-300V、氧气流量为5～10sccm条件下进行薄膜沉积，沉积时间为0.5～2h； 上述磁过滤阴极真空弧的离子束种类涵盖除第一和第二主族以外的所有金属元素，能量从10eV到1MeV连续可调，密度从108到1013cm-3连续可调，入射角从0度到180度连续可调，工作压强从0.1Pa到10Pa连续可调。

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