清能德创电气技术(北京)有限公司;芜湖清能德创电子技术有限公司张燕海获国家专利权
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龙图腾网获悉清能德创电气技术(北京)有限公司;芜湖清能德创电子技术有限公司申请的专利一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117254743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311286345.3,技术领域涉及:H02P27/08;该发明授权一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路是由张燕海;刘波;汤小平设计研发完成,并于2023-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路在说明书摘要公布了:本申请公开了一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路,包括控制芯片、驱动芯片、功率电路、采样信号放大电路、电流采样电阻电路以及PWM滤波电路;控制芯片的输出端分别通过上下桥PWM滤波电路连接驱动芯片的输入端,驱动芯片的输出端连接功率电路;上下桥PWM滤波电路的一输出端分别接信号地SGND;驱动芯片的两个参考地平面VSS连接后接信号地SGND,其中一个参考地平面VSS连接功率电路中的下桥臂氮化镓芯片U2的源极;通过本申请所述回路,既保证氮化镓功率芯片的栅极到源极之间的稳定性,又使控制芯片和驱动芯片两边的电位差相同,避免驱动器误动作或者损坏的问题。
本发明授权一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路在权利要求书中公布了:1.一种氮化镓驱动器的抗干扰功率回路,包括控制芯片、驱动芯片、功率电路、采样信号放大电路以及电流采样电阻电路,其特征在于,还包括:PWM滤波电路; 所述PWM滤波电路包括上桥臂PWM滤波电路和下桥臂PWM滤波电路; 所述控制芯片的高侧PWM控制输出信号端通过所述上桥臂PWM滤波电路连接驱动芯片的高侧控制信号输入端HI,低侧PWM控制输出信号端通过所述下桥臂PWM滤波电路连接驱动芯片的低侧控制信号输入端LI,所述上桥臂PWM滤波电路和下桥臂PWM滤波电路的一输出端分别接信号地SGND; 所述功率电路包括上桥臂功率电路和下桥臂功率电路;所述上桥臂功率电路包括上桥臂氮化镓功率芯片U1和驱动电阻R5,所述下桥臂功率电路包括下桥臂氮化镓功率芯片U2和驱动电阻R6; 所述驱动芯片的两个参考地平面VSS连接后接信号地SGND,其中一个参考地平面VSS连接下桥臂氮化镓芯片U2的源极,低侧驱动输出端LO通过驱动电阻R6连接下桥臂氮化镓功率芯片U2的栅极,高侧驱动输出端HO通过驱动电阻R5连接上桥臂氮化镓功率芯片U1的栅极,高侧驱动回流端HS直接连接上桥臂氮化镓功率芯片U1的源极; 所述下桥臂氮化镓芯片U2的源极通过所述电流采样电阻电路连接电流采样信号放大电路的输入端,所述采样信号放大电路的输出端连接所述控制芯片的模拟量输入端;所述控制芯片的一输出端接电源地PGND,所述电流采样电阻电路的一输出端接接电源地PGND; 所述上桥臂PWM滤波电路包括:电阻R1、电阻R2以及电容C1,所述电阻R1的输入端连接所述驱动芯片的高侧PWM控制输出信号端,电阻R1一输出端连接所述驱动芯片的高侧控制信号输入端HI,在电阻R1的输出端与驱动芯片的高侧控制信号输入端HI之间的结点引出第一支路和第二支路,第一支路串联电阻R2后接信号地SGND,第二支路串联电容C1接信号地SGND; 所述下桥臂PWM滤波电路包括:电阻R3、电阻R4以及电容C2,所述电阻R3的输入端连接所述驱动芯片的低侧PWM控制输出信号端,电阻R3一输出端连接所述驱动芯片的低侧控制信号输入端LI,在电阻R3的输出端与驱动芯片的低侧控制信号输入端LI之间的结点引出第一支路和第二支路,第一支路串联电阻R4后接信号地SGND,第二支路串联电容C2接信号地SGND; 使所述PWM滤波电路和所述功率电路中的所有电容和电阻大小为预设参数,用于消除不同地面产生的电位差产生的干扰; 所述上桥臂功率电路和下桥臂功率电路共同构成全桥逆变拓扑结构,用于产生互为120°三相正弦波形以驱动电机。
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