中山大学何坚获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311574270.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构及其制备方法是由何坚;钟卓彤;蔡海怀;高平奇设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构及其制备方法。所述制备方法，包括以下步骤：对n型硅片进行制绒，然后进行标准RCA清洗；清洗后的n型硅片一侧制备隧穿钝化层；所述隧穿钝化层取自氧化硅、氧化铝、氧化钛中的一种或叠层；在隧穿钝化层表面制备电子传输层；所述电子传输层取自掺铝氧化锌、掺硼氧化锌、掺氢氧化锌的一种或叠层；在电子传输层表面制备牺牲层；所述牺牲层取自氧化铝、氮化硅的一种或叠层；退火后牺牲层通过刻蚀去除，得到所述结构。本发明中，含氢牺牲层的氢向界面扩散，补偿钝化层缺陷及硅表面悬挂键，提高该接触化学钝化效果。同时，电子传输层实现提供载流子选择性传输和提高场效应钝化效果。
本发明授权一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对n型硅片进行制绒，然后进行标准RCA清洗； 2清洗后的n型硅片一侧制备隧穿钝化层；所述隧穿钝化层取自氧化硅、氧化铝、氧化钛中的一种或叠层； 3在隧穿钝化层表面制备电子传输层；所述电子传输层取自掺铝氧化锌、掺硼氧化锌、掺氢氧化锌的一种或叠层； 4在电子传输层表面制备牺牲层；所述牺牲层取自氧化铝、氮化硅的一种或叠层； 5将步骤4得到的结构进行退火，退火后牺牲层通过刻蚀去除，得到所述硅基异质结太阳能电池的透明导电钝化接触结构。
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