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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311805308.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种铟镓砷晶圆及其制造方法，一种射频阵列芯片及其制造方法，方法包括：形成施主衬底，施主衬底包括依次层叠的第一衬底、吸收层、第一掺杂层和键合层，吸收层的材料为铟镓砷，第一掺杂层的材料为铟镓砷或磷化铟，第一衬底至少包括目标层，目标层的材料为磷化铟。形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的第一硅衬底、富陷阱层和绝缘层，富陷阱层为四族元素构成的非晶材料。以键合层朝向绝缘层的方向键合施主衬底和受主衬底，去除部分厚度的第一衬底，保留目标层，对目标层进行掺杂，得到第二掺杂层，形成铟镓砷晶圆。富陷阱层可以捕获游离的寄生电荷，降低寄生电容，从而提高利用铟镓砷晶圆制造得到的射频阵列芯片的性能。

本发明授权铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种铟镓砷晶圆的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 形成施主衬底，所述施主衬底包括依次层叠的第一衬底、吸收层、第一掺杂层和键合层，所述吸收层的材料至少包括铟镓砷，所述第一掺杂层的掺杂类型为第一掺杂类型或第二掺杂类型，所述第一掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂中的其中一个，所述第二掺杂类型为P型掺杂和N型掺杂中的另一个，所述第一掺杂层的材料为铟镓砷或磷化铟，所述第一衬底至少包括目标层，所述目标层的材料为磷化铟； 形成受主衬底，所述受主衬底包括依次层叠的第一硅衬底、富陷阱层和绝缘层，所述富陷阱层为四族元素构成的非晶材料； 以所述键合层朝向所述绝缘层的方向键合所述施主衬底和所述受主衬底； 去除部分厚度的所述第一衬底，保留所述目标层； 对所述目标层进行掺杂，得到第二掺杂层，所述第二掺杂层的掺杂类型和所述第一掺杂层的掺杂类型不同； 所述富陷阱层的材料为非晶硅锡、非晶锗和非晶锗锡中的一种或多种； 所述第一衬底包括依次层叠的第二硅衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层以及所述目标层，所述第一缓冲层的材料为锗，所述第二缓冲层的材料为砷化镓，所述第三缓冲层的材料为磷化铟，所述第二硅衬底为斜切硅衬底； 所述键合层和所述绝缘层构成分布式布拉格反射镜，所述分布式布拉格反射镜包括依次层叠的氧化硅层、利用正硅酸乙酯TEOS形成的氧化硅层和氧化铝层，或所述分布式布拉格反射镜包括层叠的氧化硅层和多晶硅层，或所述分布式布拉格反射镜包括依次层叠的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层，或所述分布式布拉格反射镜包括层叠的氧化硅层和硅层。

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