中国科学院兰州化学物理研究所樊恒中获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117865687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410093993.5，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法是由樊恒中;郑先德;张永胜;李红斌;苏云峰;宋俊杰;胡丽天设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法，是将Ti粉、V粉、Nb粉、Mo粉、W粉和Si粉混合后，加入无水乙醇作为球磨介质，在氩气保护气氛中研磨得到混合粉末；在对混合粉末干燥后压制成型，之后进行放电等离子烧结；烧结完成后进行冷却得到目标产物Mo0.4Ti0.25V0.25Nb0.25W0.250.6Si2。经检测，该高熵陶瓷具有较高的硬度并且在高温下具有良好的抗氧化性能，在高温高载等极端恶劣工况环境下具有潜在应用前景。
本发明授权一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非等比高熵硅化物陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）将Mo粉、V粉、Nb粉、Ti粉、W粉和Si粉按摩尔比为4.0:1.5:1.5:1.5:1.5:20比例称量，加入占混合粉末总重5%~10%的无水乙醇作为球磨介质，在氩气保护下研磨得到混合粉末； 2）将步骤1）中得到的混合粉末放入真空干燥箱中，在60~80℃条件下干燥1~3h，得到需要的目标混合粉体； 3）将步骤2）得到的目标混合粉体压制成生坯，然后对生坯进行放电等离子烧结，烧结完成后冷却得到目标产物Mo0.4Ti0.25V0.25Nb0.25W0.250.6Si2块体陶瓷。
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