佛山市国星半导体技术有限公司陈凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410540920.6，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法是由陈凯;周鑫;徐亮;范凯平;郑洪仿;钟美云设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，AlGaN基深紫外LED芯片包括外延片、以及设置在外延片上的p型电极和n型电极，n型电极上设置有叠层结构，叠层结构包括依次层叠设置在n型电极上的ITO层、第一Al层、第一金属层、第二Al层、第二金属层和第三Al层；其中，ITO层由若干阵列设置的ITO半球组成，第一Al层填平若干阵列设置的ITO半球之间的间隙。本发明通过在n型电极上设置叠层结构，叠层结构中阵列设置的ITO半球，以及层叠设置Al层和金属层，能有效改善n型电极的电流分散性，以及减少n型电极对光的损耗，有利于提高AlGaN基深紫外LED芯片的发光效率。
本发明授权一种AlGaN基深紫外LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基深紫外LED芯片，包括外延片、以及设置在所述外延片上的p型电极和n型电极，其特征在于，所述n型电极上设置有叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置在所述n型电极上的ITO层、第一Al层、第一金属层、第二Al层、第二金属层和第三Al层；其中，所述ITO层由若干阵列设置的ITO半球组成，所述第一Al层填平所述若干阵列设置的ITO半球之间的间隙； 在所述ITO半球的作用下，所述第一Al层与所述ITO层接触的一面形成凹凸不平的糙面；所述ITO半球形成微腔，所述第一Al层的Al元素附着在所述微腔上形成所述微腔的金属结构，所述微腔和所述金属结构形成谐振腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山市国星半导体技术有限公司，其通讯地址为：528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号