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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410578628.3，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法是由周靖;代旭;陈效双;余宇;叶韬;邓杰;布勇浩;石梦蝶;王若文;崔天元;孙聊新;沈学础设计研发完成，并于2024-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法，涉及光电技术领域，探测器包括：自下至上的衬底层、金属反射层、电介质层以及电极层，还包括二维材料层；电极层包括源极、漏极、集成在源极的金属二维超材料以及集成在漏极的金属二维超材料；源极与漏极对称设置，且源极与漏极之间设有沟道；二维材料层跨越沟道并电连接源极及漏极；当探测器工作在零偏压状态时，光响来自于源极及漏极与金属二维超材料构成的肖特基结诱导的光热电效应；通过金属反射层配置源极及漏极的石墨烯的载流子浓度，在任一特定角度的线偏振光照射下，调控光电流的偏振消光比和方向。本发明实现了无穷高的消光比和任意偏振角度的0光电流响应。

本发明授权一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成式动态调控高选择比红外偏振探测器，其特征在于，所述集成式动态调控高选择比红外偏振探测器包括：自下至上的衬底层、金属反射层、电介质层以及电极层；所述集成式动态调控高选择比红外偏振探测器还包括二维材料层，所述二维材料层设置在所述电极层上或所述电介质层与所述电极层之间； 所述电极层包括源极、漏极、集成在源极的金属二维超材料以及集成在漏极的金属二维超材料；所述源极与所述漏极对称设置，且所述源极与所述漏极之间设有沟道；所述二维材料层跨越所述沟道并电连接所述源极及所述漏极；集成在源极的金属二维超材料以及集成在漏极的金属二维超材料为互为镜像的金属光栅天线阵列；金属光栅天线阵列与一端的电极融合，每一根金属栅条与其下方的介质间隔层、金属底面共同构成光学微带天线；其中，金属栅条是金属光栅天线阵列中的一个光栅；金属栅条、介质间隔层、金属底面三者组合形成索尔兹伯里屏模式的结构，当光学微带天线与入射光发生共振时，在电介质层内产生增强的局域场，电介质层上方的二维材料会与局域光场发生强烈的相互作用，其吸收率会显著增强； 当所述集成式动态调控高选择比红外偏振探测器工作在零偏压状态时，光响来自于所述源极及所述漏极与所述金属二维超材料构成的肖特基结诱导的光热电效应；通过所述金属反射层配置所述源极及所述漏极的石墨烯的载流子浓度，在任一特定角度的线偏振光照射下，调控光电流的偏振消光比和方向；具体地，通过金属反射层分别向源极和漏极施加栅压以改变石墨烯的载流子浓度，正栅压使沟道中的石墨烯的Seebeck系数减小，与金属天线钉扎控制的石墨烯的Seebeck系数的差值增大，负栅压使沟道中的石墨烯的Seebeck系数增大，与金属天线钉扎控制的石墨烯的Seebeck系数的差值减小，进而改变石墨烯的载流子浓度；通过栅极调控使特定角度的光电流接近0，此时消光比接近无穷，当消光比为-1时，此时的光电流正比于S2。

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