意法半导体国际公司P·比安弗尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体国际公司申请的专利用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置和用于控制电气负载的功率控制电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223333106U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421498740.8,技术领域涉及:G01R31/26;该实用新型用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置和用于控制电气负载的功率控制电路是由P·比安弗尼;A·卡兰德拉;J·卡斯特兰设计研发完成,并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置和用于控制电气负载的功率控制电路在说明书摘要公布了:本公开涉及用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置和用于控制电气负载的功率控制电路。所述装置包括:电流测量功率FET,所述电流测量功率FET包括能够耦合到主功率FET的第一电流路径端子的第一电流路径端子;和第一FET和第二FET,其中,所述第一FET的栅极端子电耦合到所述第二FET的栅极端子,其中,所述第一FET的第一电流路径端子耦合到所述电流测量功率FET的第二电流路径端子,或其中,所述第二FET的第一电流路径端子耦合到所述电流测量功率FET的第一电流路径端子、所述主功率FET的第二电流路径端子、电压源或所述装置外部的负载,并且所述第一FET的第二电流路径端子电耦合到所述第二FET的第二电流路径端子。
本实用新型用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置和用于控制电气负载的功率控制电路在权利要求书中公布了:1.一种用于测量要由主功率场效应晶体管FET供应的功率电流的装置,其特征在于,所述装置包括: 电流测量功率FET,所述电流测量功率FET包括能够耦合到所述主功率场效应晶体管FET的第一电流路径端子的第一电流路径端子;和 第一FET和第二FET,其中,所述第一FET的栅极端子电耦合到所述第二FET的栅极端子, 其中,所述第一FET的第一电流路径端子耦合到所述电流测量功率FET的第二电流路径端子,或 其中,所述第二FET的第一电流路径端子耦合到所述电流测量功率FET的第一电流路径端子、所述主功率场效应晶体管FET的第二电流路径端子、电压源或所述装置外部的负载,并且所述第一FET的第二电流路径端子电耦合到所述第二FET的第二电流路径端子。
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