买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种III族氮化物半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410856413.3，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种III族氮化物半导体发光元件是由郑锦坚;黄军;张会康;蔡鑫;蓝家彬;刘紫涵;李晓琴;邓和清;寻飞林;李水清设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种III族氮化物半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种III族氮化物半导体发光元件。该III族氮化物半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，所述有源层为抑制电子溢流量子阱，所述抑制电子溢流量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述抑制电子溢流量子阱包括第一抑制电子溢流量子阱和第二抑制电子溢流量子阱；该III族氮化物半导体发光元件，通过调控抑制电子溢流量子阱空穴迁移率和电子迁移率的平衡，增强量子阱中电子和空穴波函数的量子限制效应，提升量子阱中电子和空穴的辐射复合效率和速率，减少多余电子溢流效应，提升发光元件在大电流注入下的发光效率，降低大电流注入下的效率衰减和高温条件下的热衰减。

本发明授权一种III族氮化物半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，有源层和p型半导体，其特征在于，所述有源层为抑制电子溢流量子阱，所述抑制电子溢流量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，所述抑制电子溢流量子阱包括第一抑制电子溢流量子阱和第二抑制电子溢流量子阱；所述第一抑制电子溢流量子阱的空穴迁移率的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为β，所述第一抑制电子溢流量子阱的价带有效态密度的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为γ，所述第一抑制电子溢流量子阱的轻空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为θ，所述第一抑制电子溢流量子阱的重空穴有效质量的峰值位置往n型半导体方向的上升角度为ψ，其中：ψ≤θ≤γ≤β；所述第二抑制电子溢流量子阱的空穴迁移率的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为δ，所述第二抑制电子溢流量子阱的价带有效态密度的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为ε，所述第二抑制电子溢流量子阱的轻空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为η，所述第二抑制电子溢流量子阱的重空穴有效质量的谷值位置往n型半导体方向的上升角度为μ，其中：μ≤η≤ε≤δ，所述角度为曲线的切线倾斜角。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。