广东省埃森塔科技有限公司杨儒元获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省埃森塔科技有限公司申请的专利一种电子元件上金属图形的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118910565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410953130.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种电子元件上金属图形的制作方法是由杨儒元;刘宏;明卫国;李玉林;周志围设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子元件上金属图形的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别是一种电子元件上金属图形的制作方法，包括先清洗电子元件的基底；然后绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层；其次通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽；接着贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层；最后通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形；使得该方法适用于各种厚度的目标金属膜层的金属图形制作，同时残留物中的贵金属主要以单质形式存在，贵金属材料的回收难度低，大大降低了电子元件的制造成本。
本发明授权一种电子元件上金属图形的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电子元件上金属图形的制作方法，其特征在于：包括以下步骤： A1：清洗电子元件的基底； A2：绝缘材料通过物理气相沉积工艺在基底的上表面制备绝缘层； A3：通过物理刻制工艺在绝缘层刻制金属图形，形成金属图形凹槽； A4：贵金属材料通过物理气相沉积工艺填充金属图形凹槽至绝缘层的上表面，形成金属层； 所述步骤A4中物理气相沉积工艺为脉冲直流磁控溅射工艺或高功率脉冲磁控溅射工艺； A5：通过物理研磨工艺将金属层的上表面研磨至与绝缘层的上表面处于同一水平面，形成金属图形； 所述步骤A5中使用物理研磨工艺的同时加入研磨液； 还包括步骤A6：收集残留物，并通过化学和物理分离方法回收贵金属材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省埃森塔科技有限公司，其通讯地址为：526000 广东省肇庆市端州区飞龙路北龙腾路东双龙科创产业谷项目5栋1单元101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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