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龙图腾网获悉景德镇陶瓷大学申请的专利一种K/Sr/La/Cu/Sb/W掺杂型CaBi₂Nb₂O₉高温压电陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118978396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975828.2，技术领域涉及：C04B35/453；该发明授权一种K/Sr/La/Cu/Sb/W掺杂型CaBi₂Nb₂O₉高温压电陶瓷材料及其制备方法是由沈宗洋;张智鹏;王竹梅;曾涛;骆雯琴设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种K/Sr/La/Cu/Sb/W掺杂型CaBi₂Nb₂O₉高温压电陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种KSrLaCuSbW掺杂型CaBi2Nb2O9高温压电陶瓷材料及其制备方法，针对CaBi2Nb2O9陶瓷材料A位的Ca2+离子，采用具有12配位的K+、Sr2+、La3+组成复合高价离子[K0.15Sr0.3La0.65]2.7+进行掺杂取代，针对B位的Nb5+离子，采用具有6配位的Cu2+、Sb5+、W6+组成复合高价离子[Cu0.1Sb0.25W0.65]5.35+进行掺杂取代，通过上述复合掺杂改性，在保持高居里温度的同时，提高了其压电性能和高温电阻率，从而提供了一种新型的、综合电性能优良的、环境友好型压电陶瓷材料，该材料具有良好的高温稳定性，在高温领域具有广阔的应用前景。本发明制备方法采用先进的陶瓷制备工艺，烧成温度低，制备成本低，工艺简单易操作，影响因素易控制，适合于大批量工业化生产，有助于推广和应用。

本发明授权一种K/Sr/La/Cu/Sb/W掺杂型CaBi₂Nb₂O₉高温压电陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种KSrLaCuSbW掺杂型CaBi2Nb2O9高温压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述高温压电陶瓷材料为，以具有12配位的K+、Sr2+、La3+组成的复合高价离子[K0.15Sr0.3La0.65]2.7+掺杂取代CaBi2Nb2O9中A位的Ca2+离子，以具有6配位的Cu2+、Sb5+、W6+组成的复合高价离子[Cu0.1Sb0.25W0.65]5.35+掺杂取代CaBi2Nb2O9中B位的Nb5+离子，形成的化学通式为Ca1-x[K0.15Sr0.3La0.65]xBi2Nb2-y[Cu0.1Sb0.25W0.65]yO9，其中0.01≤x≤0.06，0.02≤y≤0.05；制备方法包括以下步骤： 1预合成前驱体粉料的制备 以CaCO3、K2CO3、SrCO3、La2O3、Bi2O3、Nb2O5、CuO、Sb2O3、WO3作为与所述化学通式中Ca、K、Sr、La、Bi、Nb、Cu、Sb、W对应的原料；将各原料按照化学通式中的化学计量进行配料，然后以无水乙醇为球磨介质进行一次球磨处理，得到的物料经烘干、过筛、压制成型后置于密封的坩埚内进行煅烧处理；然后将煅烧处理后的物料经研磨、过筛后，进行二次球磨处理，得到的物料经烘干、研磨、过筛，即制得预合成前驱体粉料；其中，所述压制成型的压力为4～6Mpa，煅烧处理为以5℃min升温至830～880℃，保温3～5h； 2高温压电陶瓷材料的制备 将所述预合成前驱体粉料装入石墨模具中，置于放电等离子烧结炉内进行一次煅烧处理，即放电等离子烧结炉压力为40～45MPa、直流脉冲电流为600～650A，先以100℃min升温至900℃，再以20℃min升温至950～1000℃，保温5～6min后，以50℃min的降温速率降至600℃，停止直流脉冲电流，然后释放压力，随炉冷却至室温，得到含碳烧制品；然后将所述含碳烧制品置于普通高温炉内在空气气氛下进行二次煅烧处理以进行脱碳，即以5℃min升至700～750℃，保温4～4.5h，随炉冷却至室温，得到脱碳烧制品；最后将所述脱碳烧制品进行极化处理，即制得高温压电陶瓷材料。

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