江西兆驰半导体有限公司刘春杨获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782703B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410997528.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由刘春杨;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该发光二极管外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的AlN层、缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；在所述应力释放层与所述多量子阱层之间插入复合插入层，所述复合插入层包括周期性交替层叠设置的AlxGa1‑xN层、InyGa1‑yN层以及P型掺杂GaN层，其中，x的取值范围为0‑1，y的取值范围为0‑1，本发明能够解决现有技术中传统的LED芯片在热态下发光效率低下的技术问题。
本发明授权一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，包括衬底，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括： 依次层叠于所述衬底之上的AlN层、缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层； 在所述应力释放层与所述多量子阱层之间插入复合插入层，所述复合插入层包括周期性交替层叠设置的AlxGa（1-x）N层、InyGa（1-y）N层以及P型掺杂GaN层，其中，x的取值范围为0-1，y的取值范围为0-1，所述P型掺杂GaN层的掺杂剂为Mg，掺杂浓度为1×1018cm-3-1×1019cm-3，所述P型掺杂GaN层的厚度为1nm-10nm。
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