江西兆驰半导体有限公司郑文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118782699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410997546.2,技术领域涉及:H10H20/812;该发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法是由郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成,并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体材料的技术领域,公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法,所述外延片包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层和P型GaN层;所述多量子阱层具有V型坑结构;其中,所述低温P型层包括由下至上依次层叠的AlN层、Mg‑AlInGaN层和Mg‑InGaNAlGaN超晶格结构层。实施本发明,能够提高活化Mg浓度,提高空穴浓度,提高空穴注入效率,减少电子溢流效应,减少发光二极管漏电,提升发光二极管的发光效率和发光亮度。
本发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管的外延片,其特征在于,包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层和P型GaN层;所述多量子阱层具有V型坑结构; 其中,所述低温P型层包括由下至上依次层叠的AlN层、Mg-AlInGaN层和Mg-InGaNAlGaN超晶格结构层; 所述Mg-InGaNAlGaN超晶格结构层为周期性交替生长的Mg-InGaN层和AlGaN层,交替周期数为1~20,所述AlGaN层将V型坑结构填平; 所述Mg-AlInGaN层中的Mg的掺杂浓度低于所述Mg-InGaN层中的Mg的掺杂浓度。
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