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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119043534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411167381.2，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器是由王凌云;李佳音;王小文;程至印设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器在说明书摘要公布了：一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器，涉及压力传感器。该传感器采用静电激励压阻检测，包括上层膜、上层硅岛、氧化层、谐振层及下层膜岛。除氧化层外，其余均采用硅材料制作。上层膜承受载荷压力时，压力膜片产生变形，从而带动上层硅岛产生位移，上层硅岛结构呈阶梯式，通过沿着支点旋转产生的位移，将该横向位移放大并传递至谐振器层，进而使谐振层上的谐振梁产生轴向内应力，使谐振器谐振频率发生变化从而实现差压的测量。下层膜岛结构为一体化结构，可将谐振器进行真空封装。该传感器的下层膜岛结构与上层膜及上层硅岛结构共同平衡静压，实现高静压背景下的应用。

本发明授权一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于阶梯式硅岛放大横向位移的双膜差压谐振式压力传感器，其特征在于包括自下至上依次设置的下层膜岛、感压膜、谐振层、氧化层、上层膜以及上层硅岛； 所述上层硅岛包含阶梯式硅岛，阶梯式硅岛采用一阶旋转支点、二阶匹配台阶、三阶膜岛键合域的设计，实现横向位移的放大，从而提高传感器的灵敏度； 所述上层膜与上层硅岛通过键合技术紧密结合在一起，上层膜下方对称分布四个电极孔，用于与谐振层的电极实现精确的电气连接；上层膜的膜腔位于一侧，膜腔设计与上层硅岛结构的阶梯式硅岛位置匹配，确保四个电极孔正确对应谐振层的电极分布于上层膜的膜腔一侧，实现精确的电气连接； 所述氧化层位于上层硅岛与谐振层之间，作为SOI工艺中释放谐振层可动结构的关键层，对传感器的性能和稳定性起到至关重要的作用； 所述谐振层包括谐振主梁、谐振副梁、折弯处中字型梁、谐振层盖板、检测压阻梁、检测电极和接地电极，形成传感器的核心谐振结构，通过其对称分布实现平衡的力-电转换；所述谐振主梁与谐振副梁通过折弯处中字型梁相互连接，形成稳定的谐振结构，谐振端动齿与谐振副梁一体并连接谐振主梁，驱动端定齿连接驱动电极；谐振副梁通过末端与压阻检测梁、接地电极相连；谐振主梁一端通过谐振层盖板与阶梯式硅岛下方的氧化层盖板相连，谐振主梁另一端与谐振器折弯处中字型梁相连；折弯处中字型梁位于谐振器中心，一端与阶梯式硅岛盖板相连；阶梯式硅岛下方连接氧化层盖板，氧化层盖板连接谐振器；压阻条对称分布且相连，都与检测电极相连；所述谐振层盖板用于固定阶梯式硅岛，确保其在压力作用下稳定工作；所述检测压阻梁和检测电极用于将机械应力转换为电信号，实现压力的检测； 所述感压膜位于下层膜岛的中心区域，用于感知外界压力变化，并将压力传递至谐振层； 所述下层膜岛为感压膜与硅岛的一体化结构，该结构一侧为硅岛，与谐振层盖板相连接，另一侧为感压膜结构，与上层膜协同工作，共同平衡静压，提高测量精度。

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