苏州英诺迅科技股份有限公司高怀获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州英诺迅科技股份有限公司申请的专利一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223334660U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422091870.6，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件是由高怀;田婷设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaNHEMT器件，其包括：N沟道耗尽型GaNHEMT器件和源极电阻Rs，通过在N沟道耗尽型GaNHEMT器件源极连接源极电阻Rs，源极电阻Rs的另一端接地，栅极电压VG正压偏置且VG≤VTH+Vs，N沟道耗尽型GaNHEMT器件的沟道处于夹断状态。本实用新型可以使N沟道耗尽型GaNHEMT器件应用中不需要增加额外的电源芯片来提供负压，同时也不需要增加额外的时序电路确保上、下电顺序，防止器件烧毁。
本实用新型一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaNHEMT器件，其特征在于： 包括有栅极正电源端VGG、漏极正电源端VDD、N沟道耗尽型GaNHEMT器件和源极电阻Rs； 栅极正电源端VGG为N沟道耗尽型GaNHEMT器件的栅极提供正偏置电压，或者N沟道耗尽型GaNHEMT器件栅极电压VG由漏极正电源端VDD经过电阻分压或者稳压电源芯片提供； 漏极正电源端VDD为N沟道耗尽型GaNHEMT器件的漏极提供漏源电流IDS； N沟道耗尽型GaNHEMT器件源极连接源极电阻Rs，源极电阻Rs的另一端接地，N沟道耗尽型GaNHEMT器件栅极电压VG设置为正压偏置，N沟道耗尽型GaNHEMT器件的沟道处于夹断状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州英诺迅科技股份有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区林泉街399号东南大学三江院107室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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