江苏第三代半导体研究院有限公司闫其昂获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411183479.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用。复合插入层结构包括：至少一个复合插入层单元，所述复合插入层单元包括沿选定方向依次层叠的第一AlN层、第一SiN层、第二AlN层和第二SiN层，其中，所述第一AlN层、所述第一SiN层和所述第二AlN层形成的叠层结构层的内部具有交杂分布的多个AlN微结构和多个SiN微结构。本发明降低了外延片中发光层的应力，增强了发光层内的辐射复合效率，提高了LED外延片的亮度。
本发明授权发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种复合插入层结构，设置在发光层结构内，其特征在于，包括：至少一个复合插入层单元，所述复合插入层单元包括沿选定方向依次层叠的第一AlN层、第一SiN层、第二AlN层和第二SiN层，其中，所述第一AlN层、所述第一SiN层和所述第二AlN层形成的叠层结构层的内部具有交杂分布的多个AlN微结构和多个SiN微结构，多个所述AlN微结构包括多个第一AlN微结构和多个第二AlN微结构，多个所述第一AlN微结构和多个所述第二AlN微结构间隔分布在所述第一SiN层内，多个所述SiN微结构包括多个第一SiN微结构和多个第二SiN微结构，多个所述第一SiN微结构间隔分布在所述第一AlN层内，多个所述第二SiN微结构间隔分布在所述第二AlN层内。
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