江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司金钊获国家专利权
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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411183507.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法是由金钊;曹广亮;徐洲;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括依次层叠设置的缓冲层、N‑AlGaAs电流扩展层、N‑AlGaAs限制层、多量子阱层、P‑AlGaAs限制层、P‑AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层，P‑AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，有利于将外延层的空穴分布得更加均匀，生长出高质量、高均匀性的外延层，提高LED芯片的良率，同时减少吸光，有效提高发光效率和发光强度。
本发明授权一种正极性红外LED的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正极性红外LED的外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的缓冲层、N-AlGaAs电流扩展层、N-AlGaAs限制层、多量子阱层、P-AlGaAs限制层、P-AlGaAs电流扩展层、P型GaAs欧姆接触层； 其中，所述P-AlGaAs电流扩展层为C掺杂AlGaAs层和Mg掺杂AlGaAs层周期性交替层叠形成的超晶格，周期数为33~150，每个周期中，所述C掺杂AlGaAs层位于所述Mg掺杂AlGaAs层的下方； 所述Mg掺杂AlGaAs层生长完成后进行退火处理，随后生长下一周期的C掺杂AlGaAs层，所述退火处理为：保持温度650℃~720℃进行退火5s~10s。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号第2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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