江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411207834.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法是由胡加辉;郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层和P型组合层；其中，所述P型组合层包括AlNInNP型AlGaN超晶格层和AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格层。实施本发明，可以提高活化Mg浓度，提高空穴浓度和空穴注入效率，减少电子溢流效应，提高电子与空穴辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率和抗静电性能。
本发明授权一种发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层和P型组合层； 其中，所述P型组合层包括AlNInNP型AlGaN超晶格层和AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格层； 所述AlNInNP型AlGaN超晶格层为AlN层、InN层和P型AlGaN层由下至上依次交替层叠形成的超晶格结构，交替的周期数为3~8； 所述AlGaNP型InGaNP型GaN超晶格层为AlGaN层、P型InGaN层和P型GaN层由下至上依次交替层叠形成的超晶格结构，交替的周期数为5~20。
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