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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利可降温的ICP刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411275609.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权可降温的ICP刻蚀设备是由向浪;李可;王兆祥;梁洁;涂乐义设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本可降温的ICP刻蚀设备在说明书摘要公布了：本申请公开可降温的ICP刻蚀设备，所述可降温的ICP刻蚀设备具有冷却空间和至少一与所述冷却空间连通的出气孔，所述可降温的ICP刻蚀设备包括刻蚀主体、线圈、匹配器、屏蔽罩和风扇，所述刻蚀主体包括等离子体生成部和刻蚀操作部，所述等离子体生成部与所述刻蚀操作部共同形成加工空间，所述等离子体生成部的截面尺寸由上至下逐渐增大，由所述风扇吹入所述冷却空间的冷却风吹向所述等离子体生成部以带走所述加工空间内的热量并冷却所述线圈，吹向所述等离子体生成部的冷却风流动于所述等离子体生成部的外表面并最终由所述出气孔导出。本发明能够对等离子体生成部充分且快速地散热，为刻蚀操作提供稳定的加工环境，使工艺质量得到保证。

本发明授权可降温的ICP刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.可降温的ICP刻蚀设备，其特征在于，所述可降温的ICP刻蚀设备具有冷却空间和至少一与所述冷却空间连通的出气孔，所述可降温的ICP刻蚀设备包括： 刻蚀主体，所述刻蚀主体包括等离子体生成部和刻蚀操作部，所述等离子体生成部一体形成于所述刻蚀操作部的顶部，所述等离子体生成部与所述刻蚀操作部共同形成加工空间，所述等离子体生成部形成与所述加工空间连通的通入口，所述通入口用于向形成于所述等离子体生成部的所述加工空间通入气体，形成于所述刻蚀操作部的所述加工空间供晶圆进行刻蚀操作，所述等离子体生成部的截面尺寸由上至下逐渐增大，所述等离子体生成部被实施为导热材料； 线圈，所述线圈被设置于所述刻蚀主体，所述线圈能够被通入射频信号，被通入射频信号的所述线圈产生高频电磁场以使由所述通入口通入形成于所述等离子体生成部的所述加工空间内的气体产生等离子体以由等离子体对形成于所述刻蚀操作部的所述加工空间内的所述晶圆进行刻蚀； 匹配器，所述匹配器与射频发生器通信连接，所述匹配器用于调节所述射频发生器输出的射频信号，所述线圈与所述匹配器通信连接，所述匹配器用于向所述线圈通入射频信号； 屏蔽罩，所述屏蔽罩被安装于所述刻蚀操作部的顶部并罩于所述等离子体生成部的外部； 风扇，所述风扇被设置于所述屏蔽罩的上方，所述屏蔽罩用于聚拢被所述风扇引导的冷却风，所述线圈位于所述冷却空间，所述风扇与所述等离子体生成部对应且能够向所述冷却空间通入冷却风，由所述风扇吹入所述冷却空间的冷却风吹向所述等离子体生成部以带走所述加工空间内的热量并冷却所述线圈，吹向所述等离子体生成部的冷却风流动于所述等离子体生成部的外表面并最终由所述出气孔导出； 所述匹配器被安装于所述屏蔽罩的顶部，所述匹配器具有与所述冷却空间连通的通道，所述风扇能够引导冷却风由所述通道远离所述冷却空间的一端进入所述通道并导向所述冷却空间，所述风扇被设置于所述通道内或所述通道的端部； 所述风扇被设置于所述通道内，所述屏蔽罩的顶部敞开，此时所述刻蚀主体、所述匹配器和所述屏蔽罩共同形成所述冷却空间。

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