台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光子装置结构及光子半导体装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223333175U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422301375.3,技术领域涉及:G02B6/12;该实用新型光子装置结构及光子半导体装置是由廖诗瑀;刘陶承设计研发完成,并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子装置结构及光子半导体装置在说明书摘要公布了:一种光子装置结构及光子半导体装置,光子装置结构包括具有第一顶侧氧化物层的基板及位于第一顶侧氧化物层上的硅层。光子装置结构还包括位于硅层中的多个肋状波导组件。肋状波导组件的第一肋状波导组件包括具有第一接触孔深度的第一接触孔,且肋状波导组件的第二肋状波导组件包括具有第二接触孔深度的第二接触孔,使得第一接触孔与第二接触孔的深度不同。
本实用新型光子装置结构及光子半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种光子装置结构,其特征在于,包含: 一基板,包含位于该基板上的一氧化物层; 一硅层,位于该氧化物层上;及 多个波导组件,位于该硅层中, 其中: 所述多个波导组件的一第一波导组件具有至少一个第一接触孔,该至少一个第一接触孔具有一第一接触孔深度, 所述多个波导组件的一第二波导组件具有至少一个第二接触孔,该至少一个第二接触孔具有一第二接触孔深度,其中该第一接触孔深度与该第二接触孔深度不同。
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