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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种二维垂直异质结的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411311208.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种二维垂直异质结的光电探测器及其制备方法是由冉世娟;杨孟孟;高伟设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维垂直异质结的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维垂直异质结的光电探测器及其制备方法，该制备方法通过两步物理气相沉积工艺直接制备二维硫族化合物硒化亚锗垂直异质结，通过分区控制源和生长衬底的温度，调整成核密度，提升了成膜质量，避免引入杂质，有效解决界面质量问题，能够获得大尺寸，高结晶度和平整度的异质结，本发明在制备过程中还可以可采用可视化设备，通过观测沉积生长过程，及时调整工艺参数，避免化合物提前沉积和过饱和生长；生长获得的光电探测器展现出整流效果良好，光电性能良好等特性，性能稳定，应用价值高，可用于光电器件或偏振红外成像设备领域中。

本发明授权一种二维垂直异质结的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维垂直异质结的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：称取定量的硫族化合物粉末放置在物理气相沉积室的高温热台温区I；将生长衬底放置在高温热台温区II；通入惰性气体清洗气路，随后调整该气体至第一流速；接着将温区I加热至第一目标温度，将温区II加热至低于第一目标温度的第二目标温度；当达到第一目标温度和第二目标温度后，调整气体气流为第二流速，保温一定时间后自然降温，在所述生长衬底上获得预定厚度的硫族化合物纳米薄膜； 步骤S2：称取定量GeSe粉末放置在物理气相沉积室的高温热台温区I，将生长有预定厚度的硫族化合物纳米薄膜的上述生长衬底放置在高温热台温区II，通入氩气清洗气路，随后调整该气体至10~20sccm，设置该物理气相沉积室为低压环境；接着将温区I加热至500-600摄氏度，将温区II加热至400-500摄氏度，当达到目标温度后，调整气体气流为25~45sccm，保持目标温度3-4分钟后自然降温，在所述生长衬底上获得预定厚度的GeSe纳米薄膜，所述硫族化合物纳米薄膜与所述GeSe纳米薄膜构成二维垂直异质结； 步骤S3：在硫族化合物纳米薄膜上制备第一电极，在GeSe薄膜上制备第二电极，随后在惰性气氛中退火，制得所述光电探测器。

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