深圳市比创达电子科技有限公司李春获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市比创达电子科技有限公司申请的专利一种高性能耦合滤波器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119232103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411342452.8，技术领域涉及：H03H3/007；该发明授权一种高性能耦合滤波器及制备方法是由李春;吴文明;何冬明;陈华金;周钦;程晋利设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能耦合滤波器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高性能耦合滤波器及制备方法，涉及滤波器技术领域，制备方法包括提供一衬底；在衬底上沉积绝缘层，然后在衬底正面、背面分别加工凹槽组，凹槽组包括多个凹槽，并在衬底一端加工通孔，通孔两端分别贯穿衬底正面与衬底背面；通过电镀工艺分别在凹槽内形成金属填充层、在通孔内形成金属连接柱、在衬底正面及背面形成金属电镀层；通过化学机械抛光工艺去除金属电镀层；在衬底正面与衬底背面分别形成介质钝化层。本发明中，将线圈通过衬底背面重布线技术和衬底凹槽技术结合，实现高深宽比的走线，同时实现较窄的线距，增强线圈的耦合和降低走线的损耗，使滤波器实现更佳的性能。
本发明授权一种高性能耦合滤波器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能耦合滤波器制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：提供一衬底（1）； 步骤2：在衬底（1）上沉积绝缘层，然后在衬底（1）正面、背面分别加工凹槽（2）组，凹槽（2）组包括多个凹槽（2），多个凹槽（2）沿衬底（1）长度方向设置，并在衬底（1）一端加工通孔（3），通孔（3）两端分别贯穿衬底（1）正面与衬底（1）背面； 步骤3：通过电镀工艺分别在所有凹槽（2）内形成金属填充层（4）、在通孔（3）内形成金属连接柱（5）、在衬底（1）正面及背面形成金属电镀层（6），金属电镀层（6）覆盖金属填充层（4）及金属连接柱（5）； 步骤4：通过化学机械抛光工艺去除金属电镀层（6）； 步骤5：在衬底（1）正面与衬底（1）背面分别形成介质钝化层（7）。
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