拓荆科技(上海)有限公司刘振获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利混气输送结构以及半导体器件的工艺设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223329378U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422410446.3,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型混气输送结构以及半导体器件的工艺设备是由刘振设计研发完成,并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本混气输送结构以及半导体器件的工艺设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种混气输送结构和半导体器件的工艺设备。该混气输送结构包括:基体,位于反应腔的进气口,其内部插入破气塞,其中,所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝;以及所述破气塞,其侧壁上设有多个破气孔,注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述多个破气孔以高速射流的形式喷射到所述狭缝内,以与所述狭缝内的第一工艺气体混合,并载带所述第一工艺气体经由所述基体的出气口进入所述反应腔内。通过上述混气输送结构,能够提升两种工艺气体的混气均匀性,从而能够加速工艺气体的注入速度,提升工艺效率。
本实用新型混气输送结构以及半导体器件的工艺设备在权利要求书中公布了:1.一种混气输送结构,其特征在于,包括: 基体,位于反应腔的进气口,其内部插入破气塞,其中,所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝;以及 所述破气塞,其侧壁上设有多个破气孔,注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述多个破气孔以高速射流的形式喷射到所述狭缝内,以与所述狭缝内的第一工艺气体混合,并载带所述第一工艺气体经由所述基体的出气口进入所述反应腔内。
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