武汉中航传感技术有限责任公司叶忠强获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉中航传感技术有限责任公司申请的专利一种背压式压力芯体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223332505U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422858967.5，技术领域涉及：G01L9/02；该实用新型一种背压式压力芯体是由叶忠强;王莽;李孔严设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背压式压力芯体在说明书摘要公布了：本实用新型提出了一种背压式压力芯体，包括基座，基座的内部开设有顶部与外部连通的空室，空室的内底壁设有凸台，凸台顶部通过胶液粘结有硅压阻敏感芯片；凸台的内部设有与外部连通的的介质孔，介质孔上方对应硅压阻敏感芯片下方的感应面。该背压式压力芯体，采用的均是常规的半导体行业成熟的工艺技术，通过将感压介质从硅压阻敏感芯片背面引入的方式，避开了硅压阻敏感芯片正面因有电气连接而耐环境适应性差的缺陷，该芯体的生产装配过程与现有常规正面感压带引线结构工艺通用，技术成熟度高。因此，从硅压阻敏感芯片背面感压，测量的气体介质不直接与硅压阻敏感芯片焊盘、金丝接触，从而提高了压力芯体耐环境适应性能力。
本实用新型一种背压式压力芯体在权利要求书中公布了：1.一种背压式压力芯体，其特征在于，包括基座10，基座10的内部开设有顶部与外部连通的空室11，空室11的内底壁设有凸台30，凸台30顶部通过胶液40粘结有硅压阻敏感芯片50；凸台30的内部设有与外部连通的介质孔31，介质孔31上方对应硅压阻敏感芯片50下方的感应面； 还包括位于空室11中的电路板60，电路板60中具有适配硅压阻敏感芯片50外轮廓的中心孔61；硅压阻敏感芯片50通过引线键合70于电路板60连接； 所述电路板60顶部设有平齐于空室11顶部的盖板20，其中电路板60两侧设有贯通盖板20并延伸至基座10外部的引脚62。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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