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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715913.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件是由王宽;郭飞;成志杰;吴阳阳;陈伟;袁俊设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件，包括N+衬底、N‑外延层以及多个栅极沟槽，N‑外延层包括多个P+掩埋层和多个第一N+区域，其交替夹设在N‑外延层的中部，每个第一N+区域的厚度均大于每个P+掩埋层的厚度，且第一N+区域靠近N+衬底以及远离N+衬底的两侧均突出于P+掩埋层设置；还包括多个第一P+区域和多个第二N+区域，其交替设在P阱区远离N+衬底的一侧；每个栅极沟槽的开口贯穿P阱区远离N+衬底的一侧，位于P阱区和N+衬底之间的N‑外延层上，每个第二N+区域围设在对应栅极沟槽的外侧。本发明对栅氧起到了保护作用，减轻了P型区域在器件中引入的JFET区域，减小了器件的导通电阻。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 漏电极； N+衬底，敷设在所述漏电极的一侧； N-外延层，敷设在所述N+衬底远离所述漏电极的一侧，所述N-外延层包括： 多个P+掩埋层和多个第一N+区域，交替夹设在所述N-外延层的中部，每个第一N+区域的厚度均大于每个P+掩埋层的厚度，且所述第一N+区域靠近所述N+衬底以及远离所述N+衬底的两侧均突出于所述P+掩埋层设置； P阱区，位于所述N-外延层远离所述N+衬底的一侧； 多个第一P+区域和多个第二N+区域，交替设在所述P阱区远离所述N+衬底的一侧，所述多个第一P+区域与所述多个第一N+区域一一对应且相对设置； 多个栅极沟槽，与所述多个第二N+区域一一对应设置，每个栅极沟槽的开口贯穿所述P阱区远离所述N+衬底的一侧，底部穿过所述P阱区，位于所述P阱区和所述N+衬底之间的所述N-外延层上，每个第二N+区域围设在对应栅极沟槽的外侧，所述栅极沟槽内形成有栅极，所述P阱区远离所述N+衬底的一侧形成有源极； 每个栅极沟槽与所述N+衬底平行的长度方向为第一方向，垂直于所述栅极沟槽的长度的方向为第二方向； 所述N-外延层远离所述N+衬底的一侧沿第一方向间隔设有多个第二P+区域，每个第二P+区域沿所述第二方向设置，所述第二P+区域用以隔断每个第一P+区域、每个第二N+区域和每个第一N+区域，且通过隔断部分以使所述P+掩埋层与所述源极连通。

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