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龙图腾网获悉东南大学申请的专利基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411747112.3，技术领域涉及：G02F1/1333；该发明授权基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列是由苗龙;蒋之浩;赵洪新设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列，属于磁调控阵列领域，针对传统TFT‑LCD显示半导体工艺，提出一种全新的基于TFT变容管和TFT阵列驱动组合的玻璃基电磁调控阵列技术共同调控金属激励单元，基于显示半导体工艺的玻璃基电磁调控阵列，具有支撑柔性形态和支撑透明形态，具有超高集成度，高可靠性，高精度的优势，可以实现精确调控，且制造成本低，适合大规模制造。

本发明授权基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列在权利要求书中公布了：1.一种基于TFT变容管和TFT驱动阵列的玻璃基电磁调控阵列，其特征在于，包括： 多个由TFT变容管和金属贴片构成的电磁调控单元，其中，TFT变容管包括一个控制端和两个信号端，控制端通过低频电压信号控制TFT变容管的寄生电容来实现，两个信号端为在TFT变容管的两侧连接点，形成等效电容以传输高频信号；所述金属贴片或信号地连接在所述TFT变容管的至少一个信号端，通过控制所述TFT变容管的控制端电压来改变TFT变容管等效电容，使得所述金属贴片的电磁耦合特性改变； 多个TFT驱动单元组成的TFT驱动阵列，每个TFT驱动单元连接一个电磁调控单元，通过所述TFT驱动单元控制每个电磁调控单元的控制端电压； 所述TFT驱动单元包括调控TFT管、充放电电容、栅极驱动器、源极驱动器和时序控制电路；其中，调控TFT管的栅极连接栅极驱动器，源极连接源极驱动器，漏极、栅极、以及栅极中任意两端作为两个信号端、且另一个作为控制端，栅极驱动器按顺序激活TFT驱动阵列的每行或每列的TFT驱动单元，或者源极驱动器为每个激活的充放电电容提供充放电电压信号，从而控制所述TFT变容管的控制端电压，时序控制电路协调栅极驱动器和源极驱动器的工作，确保阵列所有充放电电容的电压稳定和电压刷新； 通过控制所述TFT变容管的控制端电压来改变TFT变容管等效电容，使得所述金属贴片的电磁耦合特性改变，包括： 通过控制所述TFT变容管等效电容变化，使得所述金属贴片的金属贴片等效口径、阻抗特征发生变化，改变所述金属贴片电流的分布特性，从而改变所述TFT变容管与所述金属贴片的电磁辐射或者散射特性。

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