深圳平湖实验室夏云获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785953.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备是由夏云;万玉喜;陈刚;曾威;王晓萍;段元淼设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例公开的一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备，由于N+衬底和N型低掺杂半导体层均挖沟槽露出N型漂移层，N型漂移层靠近N+衬底的一侧形成高浓度N型杂质掺杂的N+漏极区，并且漏极导电层填充沟槽，开可以大大降低N+衬底的电阻，且无需减薄N+衬底，依然可保持较厚的N+衬底，相比于现有技术减薄N+衬底的方法，本公开降低了碎片风险，可以保持晶圆的机械强度。本公开的漏极导电层直接与N型低掺杂半导体层接触，有利于金属氧化物半导体场效应晶体管的体二极管导通时空穴从漏极导电层与N型低掺杂半导体层的接触面抽走，减少N型漂移层内的空穴密度，有利于降低器件的反向恢复电荷、减少反向恢复电流。
本发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括： N+衬底，所述N+衬底包括贯穿其厚度的第一沟槽； N型低掺杂半导体层，位于所述N+衬底的一侧，所述N型低掺杂半导体层包括贯穿其厚度的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽重叠； N型漂移层，位于所述N型低掺杂半导体层远离所述N+衬底的一侧； N+漏极区，位于所述N型漂移层中，且位于所述N型漂移层靠近所述N+衬底的一侧，所述N+漏极区覆盖所述第二沟槽； 漏极导电层，覆盖所述N+衬底远离所述N型漂移层的一侧，且填充所述第一沟槽和所述第二沟槽至与所述N+漏极区接触；所述漏极导电层与所述第二沟槽位置的所述N型低掺杂半导体层的侧面接触。
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