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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119674711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774850.7，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件是由郑锦坚;寻飞林;邓和清;张会康;黄军;刘紫涵;蔡鑫;李晓琴;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述有源层与下波导层之间设有量子限制斯塔克调控层。本发明调控有源层的电场分布，诱导产生畴壁运动，抑制有源层的量子限制斯塔克效应及InN相分离，改善界面质量，降低非辐射复合中心；增强光场限制和限制因子，提升激光器的光功率；所述量子限制斯塔克调控层产生晶格位移诱导相变，改善InN和GaN的互溶隙，抑制有源层和波导层的InN偏析，降低In组分涨落，降低热退化，提升界面晶体质量和热稳定性，降低非辐射复合中心，提升激光功率和斜率效率。

本发明授权一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102）、有源层（103）、上波导层（104）、上限制层（105），其特征在于，所述有源层（103）与下波导层（102）之间设有量子限制斯塔克调控层（106），所述量子限制斯塔克调控层（106）为GaN、InGaN、InN、AlInN、AlGaN、AlInGaN、AlN、GaAs、GaP、InP、AlGaAs、AlInGaAs、AlGaInP、InGaAs、InGaAsN、AlInAs、AlInP、AlGaP、InGaP、GaSb、InSb、InAs、InAsSb、AlGaSb、AlSb、InGaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、SiC、Ga2O3、BN、ZrW2O8、ScF3、CoSe2、Fe3C、LaCu3Fe4O12、Yb8Ge3Sb5中含In元素的任意组合； 所述量子限制斯塔克调控层（106）的电子亲和能分布具有函数y1=A+B*x2+C*ex曲线形状分布，其中A、B、C为任意数值；所述量子限制斯塔克调控层（106）的电子亲和能≤下波导层（102）的电子亲和能≤有源层（103）的电子亲和能； 所述量子限制斯塔克调控层（106）的折射率系数分布具有函数y2=D+E*x2+F*sinx曲线形状分布，其中D、E、F为任意数值；所述量子限制斯塔克调控层（106）的折射率≤下波导层（102）的折射率≤有源层（103）的折射率 所述量子限制斯塔克调控层（106）的弹性系数分布具有函数y3=G+H*exsinx曲线形状分布，其中G、H为任意数值；所述有源层（103）的弹性系数≤下波导层（102）的弹性系数≤量子限制斯塔克调控层（106）的弹性系数； 所述量子限制斯塔克调控层（106）的自发极化系数分布具有函数y4=I+J*excosx曲线形状分布，其中I、J为任意数值；所述有源层（103）的自发极化系数≤下波导层（102）的自发极化系数≤量子限制斯塔克调控层（106）的自发极化系数。

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