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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677202B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411851736.X，技术领域涉及：H10F55/20；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由武震宇;陈浩;彭霄设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件中，第一衬底包括贯穿第一表面和第二表面的第一通孔，第二衬底包括贯穿第三表面和第四表面的第二通孔；微波传输线在第三表面，带有NV色心的钻石底面的微波天线架设在第二通孔上，微波天线与微波传输线耦合；激光源元件在第四表面下方，光电探测器在第一表面上。本发明设计激光源与钻石芯片集成的半导体器件，用MEMS技术实现集成磁场传感器，可批量低成本生产；同时对准激光源与微波天线的通孔，提高磁场传感器的使用灵活性和可靠性；另外第一通孔侧壁倾斜的设计，提高光电探测器的荧光收集效率，提高磁场传感器的灵敏度；最后长通滤光片和反射金属层进一步提高同体积下量子磁场传感器的灵敏度。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：激光源元件和钻石芯片； 所述钻石芯片包括光电探测器、支撑结构、带有NV色心的钻石和微波激发结构； 所述支撑结构包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面、第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的第一通孔，所述第二衬底包括相对的第三表面、第四表面以及贯穿所述第三表面和所述第四表面的第二通孔；所述第一通孔在所述第二表面上的投影面积大于等于所述带有NV色心的钻石在所述第二表面上的投影面积，所述第二通孔在所述第二表面上的投影面积小于所述带有NV色心的钻石在所述第二表面上的投影面积； 所述微波激发结构包括微波天线和微波传输线，所述微波传输线位于所述第二衬底的第三表面未设置所述第二通孔的位置，所述微波天线位于所述带有NV色心的钻石底面，所述带有NV色心的钻石底面通过所述第一通孔架设在所述第三表面的所述第二通孔上，所述微波天线与所述微波传输线之间耦合连接； 所述激光源元件位于所述第二衬底的第四表面下方，用于产生激光从所述第四表面贯穿所述第二通孔到达所述带有NV色心的钻石；所述光电探测器位于所述第一衬底的第一表面上，用于接收所述带有NV色心的钻石受所述微波天线的微波激发产生的目标荧光信号并将目标荧光信号转化为光电流信号。

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