华中科技大学刘璐获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866864.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法是由刘璐;江春阳;朱元慧;梁秋雯;程晓敏;徐静平设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法。所述存储器包括：Si衬底、隧穿层Al2O3薄膜、存储层Si3N4薄膜、阻挡层和Al电极层；所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在Si衬底表面，在所述阻挡层的表面蒸镀Al电极层；所述阻挡层为周期性交叠沉积生长HfO2和Al2O3形成铪铝氧化物复合介质薄膜。本发明通过周期性交叠沉积HfO2和Al2O3以形成不同HfAl元素比的HfO2‑Al2O3原子叠层结构，这种生长方式有利于Hf‑O与Al‑O之间元素扩撒和缺陷的填充，通过控制HfAl元素比例，可以提高阻挡层介电常数，在相同操作电压下，作用在隧穿层的电压更高，更多电荷被注入擦出存储层，一定程度上提高了器件的存储窗口大小，且保持、疲劳特性与Al2O3作为阻挡层的器件相比没有变差。
本发明授权一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器，其特征在于：该存储器包括：Si衬底、隧穿层、存储层、阻挡层和Al电极层； 所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在Si衬底表面，在所述阻挡层的表面蒸镀Al电极层； 所述隧穿层为Al2O3薄膜，存储层为Si3N4薄膜，阻挡层为周期性交叠沉积生长HfO2和Al2O3形成的铪铝氧化物复合介质薄膜； 所述铪铝氧化物复合介质薄膜为HfmAlnOy，HfAl的原子比m为18～2，y为1.5-2。
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