哈尔滨工业大学聂秋月获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510097235.5，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源是由聂秋月;王龙;陈培奇;张仲麟;闫昌时;谭力设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源在说明书摘要公布了：本发明涉及一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源，属于等离子体发生装置技术领域。包括上部罩体、下部罩体、法兰和线圈，所述上部罩体、下部罩体、法兰从上到下顺次同轴设置，在上部罩体、下部罩体之间形成腔室，法兰的侧面设置有接口管，腔室与接口管连通，腔室的外侧设置有线圈。本发明主要用于天线辐射性能调控领域，可实现对天线辐射特性的有效调控。
本发明授权一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源在权利要求书中公布了：1.一种密度分布可调的半球型电感耦合等离子体源，其特征在于：包括上部罩体（1）、下部罩体（2）、法兰（5）和线圈，所述上部罩体（1）、下部罩体（2）、法兰（5）从上到下顺次同轴设置，在上部罩体（1）、下部罩体（2）之间形成腔室，法兰（5）的侧面设置有接口管（51），腔室与接口管（51）连通，腔室的外侧设置有线圈； 上部罩体（1）、下部罩体（2）上部均具有半球形壳体，半球形壳体的下部边缘具有环形边。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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