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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266384.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备是由黄海宾;刘翠翠设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法，包括：将硅片衬底进行制绒，获得双面制绒的制绒硅片；在制绒硅片的两面上分别沉积本征硅层，获得第一结构；将第一结构置于热丝化学气相沉积设备中，并通入H2进行硅片表面的氢刻蚀，然后控制热丝化学气相沉积设备中反应腔室内的压力，同时通入SiH4和H2，在制绒硅片迎光面的本征硅层上沉积引晶层，获得第二结构；向反应腔室内同时通入SiH4、H2、N2O和PH3，在第二结构的引晶层上沉积得到掺氧微晶硅层。此外，本发明还涉及一种采用上述方法制备掺氧微晶硅薄膜的设备。本发明可以通过HoFCVD设备在例如异质结电池的迎光面上形成掺氧微晶薄膜，从而解决迎光面的寄生吸收的问题。

本发明授权一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种制备掺氧微晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括： 将硅片衬底进行制绒，获得双面制绒的制绒硅片； 在制绒硅片的两面上分别沉积本征硅层，获得第一结构； 将第一结构置于热丝化学气相沉积设备中，并通入H2进行硅片表面的氢刻蚀，通入H2的气体流量在200-1000sccm，然后控制热丝化学气相沉积设备中反应腔室内的压力，同时通入SiH4和H2，在制绒硅片迎光面的本征硅层上沉积引晶层，获得第二结构； 向反应腔室内同时通入SiH4、H2、N2O和PH3，在第二结构的引晶层上沉积得到掺氧微晶硅层，通入SiH4的气体流量在150-300sccm，H2的气体流量在1100-5000sccm，N2O的气体流量在45-100sccm；0＜通入的SiH4和N2O的用量比≤1:10且N2O的用量随着工艺时间逐渐减少；通入的SiH4和PH3的用量比随着工艺时间由50:1减少到13:1； 其中，在沉积引晶层和掺氧微晶硅层时，通入的SiH4和H2的用量比范围是1:10-1:20。

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