东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司张生睿获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120255259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510287626.3，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品是由张生睿;俞宗强;施伟杰;姜鸿;王航宇;赵丰胜;龚炎彬设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品，应用于半导体技术领域。本方法中，刻蚀偏差由第一刻蚀图形和第一光刻图形确定，而第一刻蚀图形基于第一子图像和第二子图像融合得到。第一子图像由物理效应模拟单元基于第一光刻图形生成，第二子图像由神经网络单元基于第一光刻图形生成。其中，神经网络单元能够有效提升刻蚀模型对数据的拟合能力，进而提高刻蚀模型的准确性，以得到准确的第一刻蚀偏差。同时，刻蚀的物理效应模拟单元模拟了实际的物理效应，能够防止刻蚀模型过拟合的情况发生。
本发明授权一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种掩模图形确定方法，其特征在于，包括： 基于第一目标刻蚀图形，确定第一掩模图形； 获取所述第一掩模图形经过光刻后的第一光刻图形； 将所述第一光刻图形输入刻蚀模型的至少一个物理效应模拟单元，对应得到至少一个第一子图像，以及将所述第一光刻图形输入所述刻蚀模型的神经网络单元，得到第二子图像；所述神经网络单元基于光刻图形样本以及对应的刻蚀图像标签训练得到； 基于所述刻蚀模型的融合单元对所述至少一个第一子图像和所述第二子图像进行融合，得到所述第一光刻图形刻蚀后的第一刻蚀图形，其中，基于所述刻蚀模型的融合单元对所述至少一个第一子图像和所述第二子图像进行求和处理，得到第一刻蚀图像，从所述第一刻蚀图像中提取出所述第一刻蚀图形； 基于所述第一刻蚀图形和所述第一光刻图形，确定所述第一光刻图形的第一刻蚀偏差； 基于所述第一刻蚀偏差以及所述第一目标刻蚀图形，确定第一目标掩模图形。
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