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龙图腾网获悉南充市安昊电子有限公司申请的专利一种耐硫化厚膜电阻器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120199564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510313023.6，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权一种耐硫化厚膜电阻器是由陈国斌设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐硫化厚膜电阻器在说明书摘要公布了：本发明涉及电阻器技术领域，尤其涉及一种耐硫化厚膜电阻器，包括：锡镀层、设置在锡镀层内部的镍镀层、位于镍镀层两侧的导体层、设置在导体层中部的基板和设置在基板上的电阻层，所述基板上下面设置有电极组件，设置在上面的所述电极组件上侧设置有电阻保护层；所述电阻保护层包括牺牲层和稳定层，所述稳定层设置在电极组件上侧，所述牺牲层固定在稳定层上侧，所述稳定层由高耐硫化材料制成，所述牺牲层由低活性导电相材质制成；所述电阻层上侧设置有自修复层，所述自修复层包括微修复胶囊，所述微修复胶囊内部设置为缓蚀剂。本发明分别从结构防护与动态修复角度突破现有技术瓶颈，两者结合可显著提升耐硫化厚膜电阻器的可靠性。

本发明授权一种耐硫化厚膜电阻器在权利要求书中公布了：1.一种耐硫化厚膜电阻器，包括：锡镀层、设置在锡镀层内部的镍镀层、位于镍镀层两侧的导体层、设置在导体层中部的基板和设置在基板上的电阻层，其特征在于，所述基板上下面设置有电极组件，设置在上面的所述电极组件上侧设置有电阻保护层； 所述电阻保护层包括牺牲层和稳定层，所述稳定层设置在电极组件上侧，所述牺牲层固定在稳定层上侧，所述稳定层由高耐硫化材料制成，所述牺牲层由低活性导电相材质制成； 所述电阻层上侧设置有自修复层，所述自修复层包括微修复胶囊，所述微修复胶囊内部设置为缓蚀剂，且外壳设置为两层，分别为位于外侧的抗热层和位于内部的包裹层； 所述牺牲层上表面设置有多个圆弧形凸起条，多个所述圆弧形凸起条之间存在导流坡道，所述导流坡道向两侧倾斜设置，用于从中部向两侧导流； 所述缓蚀剂为锌酸盐，所述抗热层为刚性层，由二氧化硅制成，所述包裹层为柔性层，由聚酰亚胺制成； 所述抗热层内部设置有碳化硅纳米线，所述包裹层内部设置有壳聚糖响应条。

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