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龙图腾网获悉上海稷以科技有限公司申请的专利半导体干法刻蚀设备及刻蚀温度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510428934.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体干法刻蚀设备及刻蚀温度控制方法是由刘强;杨平;胡海明设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体干法刻蚀设备及刻蚀温度控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体干法刻蚀设备及刻蚀温度控制方法，该刻蚀设备包括：干法刻蚀腔体，其包括：晶圆加热台，为中空结构，其用于加热晶圆，其上设置液体加热通道，液体加热通道的一端位于晶圆加热台内，另一端贯穿干法刻蚀腔体并连接加热器；晶圆加热台包括晶圆加热台内圈加热区和晶圆加热台外圈加热区；晶圆加热台内圈加热区连接晶圆加热台内圈加热器；晶圆加热台外圈加热区上连接晶圆加热台外圈加热器。本发明可实现对刻蚀温度和均匀性的有效控制。

本发明授权半导体干法刻蚀设备及刻蚀温度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体干法刻蚀设备，其特征在于，包括：干法刻蚀腔体（5），其包括：晶圆加热台（67），其用于加热晶圆，其上设置液体加热通道，液体加热通道的一端位于晶圆加热台（67）内，另一端贯穿干法刻蚀腔体（5）并连接加热器；所述晶圆加热台（67）包括晶圆加热台内圈加热区（67c）和晶圆加热台外圈加热区（67d）； 晶圆加热台内圈加热区（67c）通过液体加热通道连接晶圆加热台内圈加热器（75a）； 晶圆加热台外圈加热区（67d）通过液体加热通道连接晶圆加热台外圈加热器（75b）； 晶圆加热台内圈加热区（67c）内设置稳流架和稳流挡板； 稳流架、稳流挡板与晶圆加热台内圈加热区（67c）一体成型，形成于晶圆加热台内圈加热区（67c）的内壁； 稳流架位于晶圆加热台内圈加热通道介质入口（35）和晶圆加热台内圈加热通道介质出口（36）之间； 稳流架上开设稳流窗口，稳流挡板延伸至稳流窗口中，其和稳流窗口之间形成稳流通道； 晶圆加热台内圈加热器（75a），具体包括： 蒸发器（7519）、加热介质储存罐（7516）、增压泵（7515），依次连接； 蒸发器（7519），用于降低通过的加热介质温度，其包括一号输入端、一号输出端、二号输入端、二号输出端； 一号输入端、一号输出端之间的管路用于流通加热介质； 二号输入端、二号输出端之间的管路用于流通第二循环的内部介质； 冷凝器（7528），其包括第一输入端、第一输出端、第二输入端和第二输出端； 第一输入端、第一输出端之间的管路用于流通蒸发后形成的高温内部介质； 第二输入端、第二输出端之间的管路用于流通冷却介质； 蒸发器（7519）的一号输入端通过管路连接晶圆加热台加热介质入口（7511），蒸发器（7519）的一号输出端连接加热介质储存罐（7516）； 增压泵（7515），其输出端通过一号管路连接晶圆加热台加热介质出口（7512）； 蒸发器（7519）的二号输入端和冷凝器（7528）的第一输入端之间设置一号电控流量阀（7524），蒸发器（7519）的二号输入端和冷凝器（7528）的第一输出端之间设置二号电控流量阀（7525）； 蒸发器（7519）的二号输出端通过二号管路连接冷凝器（7528）的第一输入端。

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