长飞先进半导体(武汉)有限公司罗成志获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264837B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510733627.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由罗成志;唐宇坤设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体包括阱区、第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；第一外延层，位于栅极沟槽的底部；第一绝缘层，位于栅极沟槽的侧壁以及第一外延层靠近第一表面的一侧；位于栅极沟槽内且位于第一绝缘层远离半导体本体一侧的栅极；位于第一表面的源极；位于第二表面的漏极。本发明可以有效屏蔽栅极沟槽的底部和槽角的高电场。
本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 设置为第一导电类型的半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体包括设置为第二导电类型的阱区、设置为第一导电类型的第一区域，所述第一区域位于所述第一表面，所述阱区位于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中； 第一外延层，设置为所述第二导电类型，位于所述栅极沟槽的底部和槽角； 第一绝缘层，位于所述栅极沟槽的侧壁以及所述第一外延层靠近所述第一表面的一侧； 位于所述栅极沟槽内且位于所述第一绝缘层远离所述半导体本体一侧的栅极； 位于所述第一表面的源极； 位于所述第二表面的漏极； 靠近所述栅极沟槽底部的所述第一绝缘层由所述第一外延层热氧化得到，靠近所述栅极沟槽底部的所述第一绝缘层厚度大于位于所述栅极沟槽的侧壁的第一绝缘层的厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号