买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京晶澳太阳能光伏科技有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510756955.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权背接触电池及其制备方法、光伏组件是由孙自强;于海斌;范华磊设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，其中，背接触电池包括：硅基体（1），背面具有第一区（A）、第二区（B）和间隔区（C），相邻第一区（A）和第二区（B）通过间隔区（C）分隔，第一区（A）包括邻接的为绒面的第一子区（A1）和为抛光面的第二子区（A2）；发射极，具有第一导电类型，设在硅基体（1）的背面，且发射极包括位于第一子区（A1）的第一发射极部分（3）和位于第二子区（A2）的第二发射极部分（5）；载流子收集层，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，设于硅基体（1）的背面且位于第二区（B）；和第一电极（12），与第一发射极部分（3）欧姆接触。该背接触电池具有优异的电学性能。

本发明授权背接触电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 硅基体（1），背面具有第一区（A）、第二区（B）和间隔区（C），相邻的所述第一区（A）和所述第二区（B）通过所述间隔区（C）分隔开，所述第一区（A）包括邻接的第一子区（A1）和第二子区（A2），所述第一子区（A1）为绒面，所述第二子区（A2）为抛光面； 发射极，具有第一导电类型，设在所述硅基体（1）的背面，且所述发射极包括位于所述第一子区（A1）的第一发射极部分（3）和位于所述第二子区（A2）的第二发射极部分（5），所述第一导电类型为P型； 载流子收集层，包括隧穿层（7）和掺杂多晶硅层（8），所述隧穿层（7）设置于所述硅基体（1）的背面且位于所述第二区（B），所述掺杂多晶硅层（8）设在所述隧穿层（7）远离所述硅基体（1）的一侧，所述掺杂多晶硅层（8）具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述第二导电类型为N型；和 第一电极（12），与所述第一发射极部分（3）欧姆接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京晶澳太阳能光伏科技有限公司，其通讯地址为：100160 北京市丰台区汽车博物馆东路1号院4号楼南座701室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。