深圳市章阁仪器有限公司张隆庆获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市章阁仪器有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510797554.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张隆庆设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括沿纵向自下而上交替堆叠的介质层和第一牺牲层；形成贯穿叠层结构的多个通孔；形成覆盖通孔侧壁的第二牺牲层，第二牺牲层包括沿横向堆叠的多个子牺牲层；形成填充通孔且覆盖第二牺牲层的导电柱结构；去除叠层结构中所有的第一牺牲层，形成纵向相邻的介质层围成的沿纵向间隔排列的多个第一沟槽；沿每个第一沟槽去除露出的部分第二牺牲层，形成露出导电柱结构部分侧壁的第二沟槽，第二沟槽与第一沟槽连通为第三沟槽；形成覆盖第三沟槽各个侧面和底面的介电层；形成填充第三沟槽且覆盖介电层的导电板结构。本发明有利于保障半导体结构的工作性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有叠层结构，所述叠层结构包括沿纵向自下而上交替堆叠的介质层和第一牺牲层； 形成贯穿所述叠层结构的多个通孔； 形成覆盖所述通孔侧壁的第二牺牲层，所述第二牺牲层包括沿横向堆叠的多个子牺牲层； 形成填充所述通孔且覆盖所述第二牺牲层的导电柱结构； 去除所述叠层结构中所有的所述第一牺牲层，形成纵向相邻的介质层围成的沿纵向间隔排列的多个第一沟槽； 沿每个所述第一沟槽去除露出的部分所述第二牺牲层，形成露出所述导电柱结构部分侧壁的第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通为第三沟槽； 形成覆盖所述第三沟槽各个侧面和底面的介电层； 形成填充所述第三沟槽且覆盖所述介电层的导电板结构。
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