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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120371225B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510864246.1，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法是由刘胜;陈桂湘;郭阳;梁斌;鲁建壮;扈啸;陈建军;宋睿强;雷普红设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法在说明书摘要公布了：本发明所提供的面向SRAM加固的兼顾性能和可靠性的细粒度写请求处理方法，包括如下步骤：接收外部写请求后，判断所述外部写请求是否为细粒度写请求，若其为细粒度写请求，将所述细粒度写请求转化为读请求；根据细粒度写请求将对应的细粒度写数据与读请求对应的读返回数据合并，将合并后的数据项以满写请求方式写入SRAM。相比于现有技术，本发明通过将细粒度写请求转化为读请求，充分利用了SRAM的传输带宽，减少了资源浪费，实现了数据加固；而在写处理过程中，主要的读写端口与SRAM保持一致，降低了调整RTL代码的难度并减少了验证时间；同时支持与匹配不同的纠错算法。

本发明授权一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法在权利要求书中公布了：1.一种面向SRAM加固的细粒度写请求处理方法，其特征在于，包括如下步骤： 接收外部写请求，判断所述外部写请求是否为细粒度写请求； 若是，则根据所述细粒度写请求按用户选择的不同方式写入SRAM； 当选择快速写入方式，则根据所述细粒度写请求，将对应的细粒度写数据写入SRAM，以预设信号作为细粒度写标识； 当选择可靠写入方式，则将所述细粒度写请求转化为读请求；获取所述读请求对应的读返回数据；根据所述细粒度写请求，将对应的细粒度写数据与所述读返回数据合并，以满写请求方式写入SRAM； 所述当选择可靠写入方式，则将所述细粒度写请求转化为读请求；获取所述读请求对应的读返回数据；根据所述细粒度写请求，将对应的细粒度写数据与所述读返回数据合并，以满写请求方式写入SRAM，包括如下步骤： 判断第一读请求是否由所述细粒度写请求引起，若是，向SRAM发送所述第一读请求，获取SRAM的细粒度写请求地址对应的第一读返回数据； 接收第二读请求； 在获取SRAM的细粒度写请求地址对应的第一读返回数据之后，判断所述第一读请求和所述第二读请求的访存地址是否相同； 若是，则作废第二读请求，将所述第一读返回数据由bypass旁路输出作为所述第二读请求的读返回数据； 若否，则向SRAM发送第二读请求，获取SRAM的细粒度写请求地址对应的第二读返回数据； 将所述第二读返回数据与一致性处理后的细粒度写数据合并后，将合并数据项插入后台缓冲； 在空闲时将所述合并数据项由所述后台缓冲以满写请求方式写入SRAM中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。