通威微电子有限公司王鹏刚获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅粉料合成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120348949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510865081.X，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种碳化硅粉料合成方法及装置是由王鹏刚设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅粉料合成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种碳化硅粉料合成方法及装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域。碳化硅粉料合成方法能应用于碳化硅粉料合成装置。在合成碳化硅粉料的过程中，原料粉料及硅晶原料容置于坩埚内，硅晶原料包括多个硅棒，多个硅棒间隔设置，硅棒容置于原料粉料内。在碳化硅粉料合成过程中，坩埚内的温度升高至一定温度时，硅棒开始融化，并向碳粉中扩散，碳粉可以与硅熔体相互渗透形成大块的硅碳混合物，进而可以在高温下反应生成碳化硅粉料，每个硅棒均可以形成一个硅碳混合物的形核点，以便于在高温下反应形成碳化硅粉料，从而可以提高大尺寸碳化硅粉料的产率。
本发明授权一种碳化硅粉料合成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅粉料合成方法，其特征在于，所述方法包括： 以使原料粉料（200）填装于坩埚（100）内，所述原料粉料（200）包括碳粉，所述原料粉料（200）内还包含有晶型稳定剂，所述晶型稳定剂用于降低碳化硅颗粒的界面能； 以使硅晶原料（300）填装于所述坩埚（100）内，所述硅晶原料（300）包括多个硅棒（320），多个所述硅棒（320）间隔设置，并使所述硅棒（320）容置于所述原料粉料（200）内； 以使所述硅晶原料（300）在所述碳粉中融化，且在第一预设温度下使所述硅晶原料与所述碳粉共同反应生成碳化硅粉料； 所述坩埚（100）还设置有碳化硅晶片（130），所述碳化硅晶片（130）将所述坩埚（100）分隔设置的第一腔室（101）与第二腔室（102），所述第一腔室（101）位于所述碳化硅晶片（130）远离所述原料粉料（200）的一侧，所述碳化硅晶片（130）上用于在所述第一预设温度下沉积碳化硅粉料。
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