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深圳市两岸半导体科技有限公司李忠获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市两岸半导体科技有限公司申请的专利垂直腔面发射激光灯及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120389292B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510875837.9,技术领域涉及:H01S5/42;该发明授权垂直腔面发射激光灯及其制备方法是由李忠;方干;李峰设计研发完成,并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

垂直腔面发射激光灯及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体制造技术领域,解决了现有激光灯制造技术制造的激光灯存在的发光效率低下的问题,提供了一种垂直腔面发射激光灯及其制备方法。该方法包括:对清洁后的基板进行平整度优化处理;在所述基板表面进行材料层交替沉积,形成第一反射单元,第一反射单元包括第一材料层和第二材料层;在基板表面沉积第二反射单元;在第一反射单元与量子阱层之间沉积第一应变补偿层,并在第二反射单元与量子阱层之间沉积第二应变补偿层,得到发光芯片;将封装层覆盖在发光芯片的出光侧表面,并将发光芯片键合固定于基板上;对基板与基座进行键合,得到各激光灯珠;对各激光灯珠进行后处理,得到垂直腔面发射激光灯。本发明提升了激光灯珠的发光效率。

本发明授权垂直腔面发射激光灯及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种垂直腔面发射激光灯,其特征在于,包括: 若干激光灯珠,其中,所述激光灯珠包括封装层、发光芯片、基板和基座,所述封装层覆盖于所述发光芯片的出光侧表面,所述发光芯片键合于所述基板的上表面,所述基板的下表面通过键合层与所述基座连接; 所述发光芯片包括第一反射单元、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层和第二反射单元; 所述第二反射单元与所述第一反射单元形成对称谐振腔; 所述第一应变补偿层和所述第二应变补偿层用于对所述量子阱层进行应变补偿,所述第一应变补偿层和所述第二应变补偿层以所述量子阱层为中心镜像对称分布; 所述量子阱层通过受激辐射产生具有目标波长的光场; 所述第一反射单元包括多个交替层叠的具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层,所述第一材料层具有第一物理厚度,所述第二材料层具有第二物理厚度,所述第一折射率大于所述第二折射率,所述第一物理厚度小于所述第二物理厚度,所述第一材料层和所述第二材料层具有使所述具有目标波长的光场产生相长干涉的相同光学厚度; 所述封装层包括沿发光芯片的光轴方向依次设置的第一封装层和第二封装层; 所述第一封装层包括两层弹性封装介质,所述弹性封装介质的外表面具有连续光滑光学界面,用于约束光束发散角至预设角度区间内; 所述第二封装层覆盖于所述第一封装层的外侧,包括热固性聚合物,所述热固性聚合物与所述第一封装层之间通过界面改性层实现化学键合,所述界面改性层包含硅烷偶联剂或等离子体活化处理形成的致密过渡区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市两岸半导体科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道罗租社区第三工业区1号新厂房B座五层、B座六层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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