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龙图腾网获悉南昌航空大学申请的专利一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120446265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510905530.9，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法是由王荣彪;端正;余皓智;程云瑞;徐志远;张丽攀;宋凯设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法，包括交流线圈和磁芯的传感器系统，将磁芯插入交流线圈中增强交流线圈产生的交变磁场；采用TMR传感器，使用推挽式惠斯通全桥设计，将TMR传感器通过PCB板固定，TMR传感器两侧放置永磁铁，施加交直流调制信号，通过TMR传感器输出的电压信号的不同特征评估各个尺度的缺陷，验证是否可以通过增加交流磁场强度来扩展TMR传感器的量程，以满足更高量程要求的环境。该基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法，通过分析交流波形峰值、波形宽度和谷值，实现从微米级到毫米级缺陷的全尺度检测。

本发明授权一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法在权利要求书中公布了：1.一种基于偏置交流磁化调制TMR传感器的跨尺度缺陷评价方法，其特征在于，包括以下步骤： a．采用包含交流线圈和磁芯的传感器系统，将磁芯插入交流线圈中以增强交流线圈产生的交变磁场； b．采用TMR传感器，使用推挽式惠斯通全桥设计，提供差分电压输出，具有的宽动态范围； c．将TMR传感器通过PCB板固定，并使用垫板使得TMR传感器与待测件表面之间保持一定的间隙； d．在TMR传感器两侧放置永磁铁，稳定TMR传感器； e．施加交直流调制信号作为总磁场，总磁场为交流磁场和直流磁场的组合； f．通过TMR传感器输出的电压信号的不同特征评估各个尺度的缺陷； g.验证是否可以通过增加交流磁场强度来扩展TMR传感器的量程，以满足更高量程要求的环境，具体步骤如下： i.选择磁化电流从0A增加到30A，记录TMR传感器的输出电压； ii.在TMR传感器相同位置放置特斯拉计，测量对应磁化电流的磁场强度； iii.将TMR传感器输出分为四个阶段； iv.通过信号处理装置对TMR传感器输出的电压信号进行放大、滤波和差分处理，后续信号传输到计算机进行显示或在软件中导出数据以进行进一步处理。

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