深圳市美思先端电子有限公司宏宇获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120397982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510909237.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器是由宏宇;武斌设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器，该制作方法包括，使用反应性离子刻蚀工艺对晶圆表面的薄膜材料进行局部刻蚀，形成通孔通槽；使用涂覆工艺或沉积工艺，将填充材料填充于上述步骤形成的通孔通槽中；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在所述晶圆背离所述薄膜材料的一侧进行背腔刻蚀；去除填充的所述填充材料，得到保留薄膜材料的薄膜结构。上述MEMS薄膜制作方法，使用填充材料对通孔通槽进行覆盖，确保在对晶圆进行背腔刻蚀的过程中不会造成薄膜上下贯通，大幅提高了非封闭薄膜结构的制作效率，可高效、可靠地加工得到具备非封闭薄膜结构的MEMS传感器。
本发明授权一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS薄膜制作方法，其特征在于，所述MEMS薄膜制作方法用于对晶圆进行刻蚀以制作得到薄膜，所述晶圆包括依次层叠设置的薄膜材料及衬底，所述薄膜材料与所述衬底相接触，所述方法包括： 使用反应性离子刻蚀工艺对晶圆表面的薄膜材料进行局部刻蚀，在所述薄膜材料中形成通孔通槽； 使用涂覆工艺或沉积工艺，将填充材料填充于所形成的通孔通槽中； 使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在所述衬底背离所述薄膜材料的一侧进行刻蚀形成背腔，以暴露薄膜材料靠近所述衬底一侧的表面； 去除填充的所述填充材料，得到保留薄膜材料的薄膜结构； 所述使用涂覆工艺或沉积工艺，将填充材料填充于所形成的通孔通槽中之前，还包括： 在所形成的通孔通槽内沉积保护材料； 对所沉积的保护材料进行反应性离子刻蚀，形成尺寸小于所述通孔通槽的小孔小槽，则所述通孔通槽的内壁保留有一层保护材料层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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