中科苏州微电子产业技术研究院苌凤义获国家专利权
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龙图腾网获悉中科苏州微电子产业技术研究院申请的专利面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510918389.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法是由苌凤义设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法，涉及半导体测试技术领域，包括采集实时压力数据和晶圆应力极限值建立初始分布状态，通过位移计算接触面积和角度确定应力集中因子进行压力修正，计算应变率分布识别敏感区进行压力补偿，监测应力应变比值识别微裂纹萌生点确定最佳加压参数，并实时监控预警。本发明可减少晶圆测试过程中的损伤风险，提高测试精度和良品率。
本发明授权面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法在权利要求书中公布了：1.面向晶圆测试的多探针阵列实时压力优化与控制方法，其特征在于，包括： 采集多探针阵列的实时压力数据和晶圆应力极限值，建立各探针的初始压力分布状态； 分别获取各探针在加压过程中的横向位移量和纵向位移量，根据初始压力分布状态计算探针与晶圆的实际接触面积和接触角度，根据接触面积和接触角度计算应力集中因子，结合所述应力集中因子对探针压力进行修正，得到修正压力值； 根据修正压力值计算晶圆表面应变率分布，识别应变率突变点，将相邻应变率突变点之间的区域划分为应力敏感区，获取应力敏感区内探针受力方向的切向分量和法向分量，计算探针受力的偏转程度，基于偏转程度对探针压力进行实时补偿，得到补偿压力值； 采集探针施加补偿压力值过程中的位移增量和受力增量，计算探针加压过程中的应力应变比值，根据应力应变比值的变化趋势识别晶圆表面微裂纹萌生点，当检测到微裂纹萌生点时计算最佳加压速率和最大加压阈值； 实时监测探针压力，当压力超出最大加压阈值时触发报警信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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