湖南飞航材料科技有限公司周永红获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南飞航材料科技有限公司申请的专利一种抗冲击陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120423866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510913670.0，技术领域涉及：C04B35/119；该发明授权一种抗冲击陶瓷及其制备方法是由周永红设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗冲击陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种抗冲击陶瓷及其制备方法，抗冲击陶瓷包括交替层叠的致密层和多孔层，致密层中包括由基体和分散在基体中的体积分数15‑20%的SiC晶须；多孔层中包括基体和分散在基体中的体积分数8‑12%的SiC晶须，且多孔层的孔隙率为30‑40%；SiC晶须在致密层中沿水平面呈0°±5°定向排列，SiC晶须在多孔层中呈45°±10°交错排列；基体为Al2O3包覆ZrO2的核壳结构，其中核相为50‑100nm的t‑ZrO2，壳层为200‑300nm的α‑Al2O3。本申请抗冲击陶瓷通过致密层与多孔层交替层叠并调控晶须排列方式，构建应力波阻抗梯度，使得冲击能量通过晶须拔出、裂纹偏转及孔隙塌陷实现耗散。
本发明授权一种抗冲击陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗冲击陶瓷，其特征在于，包括交替层叠的致密层和多孔层，所述致密层中包括由基体和分散在所述基体中的体积分数15-20%的SiC晶须；所述多孔层中包括基体和分散在所述基体中的体积分数8-12%的SiC晶须，且所述多孔层的孔隙率为30-40%；所述SiC晶须在所述致密层中沿水平面呈0°±5°定向排列，所述SiC晶须在所述多孔层中呈45°±10°交错排列；所述基体为Al2O3包覆ZrO2的核壳结构，其中核相为50-100nm的t-ZrO2，壳层为200-300nm的α-Al2O3； 所述SiC晶须表面包覆有厚度10-30nm的Fe3O4纳米层，所述SiC晶须的直径为0.5-1μm，所述SiC晶须的长径比为20-50μm。
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